基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
在6月24—26号在上海举办的PCIM亚洲论坛上,GaNSystems公司将首次在中国展示其氮化镓高功率晶体管产品系列中的一个新成员。该新款60A氮化镓高功率增加强型器件,型号GS66516T,扩展了公司额定电流8A到250A的功率开关产品系列。
推荐文章
石墨烯晶体管研究进展
石墨烯晶体管
禁带
截止频率
最大振荡频率
柔性晶体管
晶体管实现数字逻辑的方法
数字逻辑
数模混合
正反逻辑
双极晶体管
0.5μm栅长HfO2栅介质的GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
高电子迁移率晶体管
氮化镓
栅电流
射频特性
不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应
NPN双极晶体管
60Coγ辐照
基区掺杂浓度
低剂量率辐照损伤增强效应
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 GaN Systems在PCIM亚洲论坛发布新型60A晶体管
来源期刊 半导体信息 学科 工学
关键词 功率晶体管 亚洲论坛 SYSTEMS GAN 功率开关 额定电流 氮化镓 加强型
年,卷(期) bdtxx_2015,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 3-4
页数 2页 分类号 TN323.4
字数 语种
DOI
五维指标
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2015(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
功率晶体管
亚洲论坛
SYSTEMS
GAN
功率开关
额定电流
氮化镓
加强型
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
双月刊
16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
1990
chi
出版文献量(篇)
5953
总下载数(次)
11
论文1v1指导