衬底与缓冲层的晶格失配对CeO2缓冲层外延生长的影响

• 作者: 吕建凤 曹丽云 李成山 王耀 王辉 金利华 黄剑锋
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 涂层导体 缓冲层 晶格失配
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 所属期刊栏目: 材料工艺
• 页码范围: 2250-2254
• 页数: 5页
• 分类号: TM26
• 语种: 中文

摘要

采用金属有机沉积(MOD)技术在LaAlO3(LAO)、Y稳定的氧化锆(YSZ)和Ni-W衬底上沉积了CeO2缓冲层薄膜,并研究了衬底与缓冲层的晶格失配对其外延生长的影响.结果表明,随着衬底和缓冲层薄膜之间晶格失配的增大,缓冲层薄膜内部的压应变增加,晶界浓度增加,晶粒生长速率减小.衬底和缓冲层薄膜之间的晶格失配越小,越有利于薄膜织构度的增大.CeO2薄膜的表面形貌及粗糙度的演化对衬底和缓冲层薄膜之间的晶格失配并没有明确的依赖关系.