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摘要:
针对种晶的表面粗糙度和边部形态对MPCVD法生长金刚石单晶的影响进行了研究.结果表明,当样品表面粗糙度Ra值达到0.0066 μm时,单晶金刚石沉积层已经可以呈现出较高的结晶质量.当表面粗糙度Ra值达到0.0162μm后,种晶的中心区域受到的影响较小,但种晶边缘区域的沉积却受到了较明显的影响.研究边部形态的实验中,在同一种晶的不同区域抛磨出45°边棱和90°边棱,生长后分别对这两个区域进行了拉曼光谱测试,测试结果表明,90°边棱处1332 cm-1金刚石本征峰的半高宽较小,沉积层质量较好,初步推测90°是更适合的种晶边棱角度.
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文献信息
篇名 种晶表面粗糙度及边部形态对MPCVD法生长单晶金刚石的影响
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 单晶金刚石 种晶 表面粗糙度 边部形态
年,卷(期) 2015,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 316-322,328
页数 8页 分类号 O782
字数 3527字 语种 中文
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单晶金刚石
种晶
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人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
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