宽带射频功放晶体管非线性输出电容研究

• 作者: 孙世滔 於建生 桑磊 王华
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 连续F类放大器 高效率 宽带 非线性电容
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 电子·电路
• 页码范围: 102-105
• 页数: 4页
• 分类号: TN722
• 字数: 2069字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2015.04.028

摘要

分析了GaN(氮化镓)HEMT(高电子迁移率晶体管)非线性输出电容Cout与宽带功放效率的关系.通过建立非线性电路模型分析得出,利用C out控制漏极端电压电流波形能减轻对谐波阻抗的精确要求,使高效率阻抗区域扩大化,从而使宽带功放匹配变为可能.选用GaN HEMT器件设计2～3 GHz频段射频功率放大器,实测结果为该放大器最高漏极效率(DE)为81.7％,功率附加效率(PAE) 78.3％,功率为40.75 dBm.在1 GHz带宽内PAE也可达65％以上.实测结果验证了原理分析的可靠性,提出的方法不仅可用于宽带GaN功率放大器设计,对其他类型的微波功放设计同样有借鉴作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	於建生		8	35	3.0	5.0
2	桑磊	合肥工业大学仪器科学与光电工程学院	10	16	2.0	3.0
3	孙世滔	合肥工业大学仪器科学与光电工程学院	2	8	2.0	2.0
4	王华		1	3	1.0	1.0