High-Performance In0.23Ga0.77As Channel MOSFETs with High Current Ratio Ion/Ioff Grown on Semi-insulating GaAs Substrates by MOCVD

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篇名	High-Performance In0.23Ga0.77As Channel MOSFETs with High Current Ratio Ion/Ioff Grown on Semi-insulating GaAs Substrates by MOCVD
来源期刊	中国物理快报（英文版）	学科
关键词	@@
年，卷（期）	2015,（3）	所属期刊栏目
研究方向		页码范围	121-123
页数	3页	分类号
字数		语种	中文
DOI	10.1088/0256-307X/32/3/037301

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