纳米工艺下集成电路物理集成设计人才的培养探索

• 作者: 林远镇 潘金艳 韦素芬
• 来源期刊: 电子世界
• 关键词: 设计流程 物理集成 FinFET工艺 人才培养
• 年，卷（期）: 2015,（23）
• 所属期刊栏目: 【第五届(北京)大学生集成电路设计大赛专栏】
• 页码范围: 57-58
• 页数: 2页
• 字数: 2089字
• 语种: 中文

摘要

本文介绍16nm FinFET工艺下集成电路的物理集成流程，分析了先进工艺下物理集成工程师所面临的问题和挑战。为了更好地适应新的要求，对我国高校IC人才培养的相关环节提出了探索性的建议。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘金艳	集美大学信息工程学院	14	30	3.0	4.0
2	韦素芬	集美大学信息工程学院	4	9	2.0	3.0
3	林远镇		1	0	0.0	0.0