溅射功率变更对In-Sn-Zn-O TFT器件性能的影响研究

• 作者: 刘帆 杜红棉 梁永烨 焦耀晗 裴东兴
• 来源期刊: 电视技术
• 学科: 工学
• 关键词: ITZO TFTs 直流磁控溅射功率 载流子浓度 接触面缺陷密度
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 所属期刊栏目: 器件与应用
• 页码范围: 66-70
• 页数: 5页
• 分类号: TN321
• 字数: 3300字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16280/j.videoe.2015.09.016

摘要

以硅作为衬底,以采用不同直流(DC)磁控溅射功率制备的ITZO薄膜作为有源层制备了薄膜晶体管(TFTs)器件.在溅射功率从80 W变化到160 W的过程中,对ITZO TFTs的电气性能和稳定性进行了研究.当溅射功率为80 W时,器件具有最低的有源层载流子浓度(Nd)2.58×1017cm-3以及有源层与栅极绝缘层接触面最小的缺陷阱密度(Nt)5.677×1011cm-2,器件显示出优秀的电气性能.例如:0.156 V/dec的亚阈值摆幅(SS)、-3.596 V的开启电压(VON)、-1.872 V的阈值电压(VTH)和高达7.773×108的电流开关比(ION/IOFF).与此同时,在负向偏置压力下,该器件也显示出最强的电气稳定性.由测试结果看出,较低的溅射功率有助于ITZO TFTs器件性能的提升.