半导体硅片退火后检测工艺的发展探讨

• 作者: 寇文杰 王晓飞
• 来源期刊: 电子测试
• 关键词: 半导体 硅片 退火 检测工艺
• 年，卷（期）: 2015,（13）
• 所属期刊栏目: 测试工具与解决方案
• 页码范围: 83-84
• 页数: 2页
• 字数: 1415字
• 语种: 中文

摘要

半导体硅片退火工艺对生产硅片具有十分重要的作用，为此，本文加强对硅片的退火技术检测，希望能够控制硅片技术质量。因为自然界当中并不存在单体硅，硅主要以氧化物或者是硅酸盐的形式出现，需要通过提纯与精炼的方式才能够形成硅片。这个过程中硅需要进行退火工艺处理，消除硅片中氧施主的影响，内部缺陷也在这个过程中减少。这个工艺流程是制造半导体硅片的重要环节。退火后的技术检测则是实现硅片生产的最后一个环节，是确保硅片质量的重要基础。本文侧重对半导体硅片退火检测工艺发展情况进行具体阐述。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓飞		2	1	1.0	1.0
2	寇文杰		2	1	1.0	1.0