电子的谷自由度

• 作者: 孙家涛 孟胜
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 谷自由度 二维原子晶体 谷电子学 谷霍尔效应
• 年，卷（期）: 2015,（18）
• 所属期刊栏目: 专题:计算物理的近期发展和应用
• 页码范围: 416-427
• 页数: 12页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.64.187301

摘要

电子在晶格周期性势场影响下的运动遵循布洛赫定理. 布洛赫电子除了具有电荷和自旋两个内禀自由度外, 还有其他内禀自由度. 能带色散曲线上的某些极值点作为谷自由度, 具有独特的电子结构和运动规律. 本文从布洛赫电子的谷自由度出发, 简单介绍传统半导体的谷电子性质研究现状, 并重点介绍新型二维材料体系, 如石墨烯、硅烯、硫族化合物等材料中谷相关的物理特性. 有效利用谷自由度的新奇输运特性, 将其作为信息的载体可以制作出新颖的纳米光电子器件, 并有望造就下一代纳电子器件的新领域, 即谷电子学(valleytronics).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孟胜		4	5	2.0	2.0
2	孙家涛	北京凝聚态物理国家实验室中国科学院物理研究所	1	3	1.0	1.0