多晶硅少数载流子寿命的分析与检测

• 作者: 林硕 潘华清
• 来源期刊: 电子测试
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 少数载流子寿命 分析 检测
• 年，卷（期）: 2015,（20）
• 所属期刊栏目: 测试工具与解决方案
• 页码范围: 67-69
• 页数: 3页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 3125字
• 语种: 中文

摘要

少数载流子寿命(以下简称少子寿命)是衡量晶硅半导体性能的重要参数.在实际生产中少子寿命受到多种因素的影响,如硅片厚度、杂质含量、晶粒均匀性、内部缺陷等.检测少子寿命主要的方法有三大类,根据载流子在半导体中产生的不同途径而有瞬态法、稳态法和准稳态法;根据光电压进行的检测;以及光束诱导电流法、电子束诱导电流法等其它方法,并指出这些方法的优缺点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘华清	上饶职业技术学院机械系	6	7	2.0	2.0
2	林硕	闽南师范大学物理系	6	8	2.0	2.0