重掺杂n型GaN材料特性研究

• 作者: 于保宁 张云龙 王凯 邢艳辉 郭立建 韩军
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: MOCVD 重掺杂n型GaN 光电特性 缺陷选择性腐蚀
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 499-504
• 分类号: O484.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2016.04.010

摘要

采用金属有机化合物气相外延方法制备了不同SiH4流量下重掺杂n型GaN材料,研究发现在SiH4流量为20 cm3/min时样品获得较高的电子浓度,达到6.4×1019 cm-3,同时材料的结晶质量较好.光荧光测试发现重掺杂使GaN材料的杂质能带进入导带形成带尾态,使带边峰变得不尖锐,并且发现SiH4流量以及材料的刃位错密度与黄光带发光有关.采用Delta掺杂方式生长的重掺杂样品,样品表面粗糙度降低,晶体质量明显改善,但黄光带发光强度增强.缺陷选择性腐蚀研究发现Delta掺杂方式主要通过降低螺位错密度来改善晶体的质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩军	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	39	181	7.0	11.0
2	邢艳辉	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	20	59	5.0	6.0
3	王凯	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	25	240	8.0	15.0
4	张云龙	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0
5	郭立建	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	2	1	1.0	1.0
6	于保宁	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0