SiC MOSFET开关特性及驱动电路的设计

• 作者: 刘仿 肖岚
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 晶体管 碳化硅 开关特性 驱动电路
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 器件
• 页码范围: 101-104
• 页数: 4页
• 分类号: TMN32
• 字数: 3231字
• 语种: 中文

摘要

与硅(Si)功率器件相比,碳化硅(SiC)功率器件的掺杂浓度更高,禁带更宽,在高电压下导通阻抗更小,因此应用于大功率场合可以提高开关频率,减小变换器体积重量.根据SiC MOSFET的开关特性,设计了一种SiC MOSFET的驱动电路,采用双脉冲电路对其开关时间、开关损耗等进行了实验测量,分析了不同阻值驱动电阻对SiC MOSFET模块开关时间和开关损耗的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖岚		128	2085	23.0	43.0
2	刘仿		2	32	1.0	2.0