生长时间对Sn掺杂四针状ZnO纳米结构形貌及场发射性能的影响

• 作者: 叶芸 周雄图 孙磊 张永爱 彭玉颜 林志贤 林木飞 郭太良
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 四针状ZnO Sn掺杂 热蒸发 场发射
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 纳米技术
• 页码范围: 638-642
• 分类号: TB34
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2016.06.06

摘要

采用热蒸发法制备Sn掺杂(＜1％(原子比))四针状ZnO(T-SZO)纳米结构,通过优化生长时间,获得不同形貌T-SZO纳米结构,并对其结构和场发射性能进行了研究.结果表明,T-SZO的形貌随生长时间不同有显著变化,继而影响其场发射特性.生长时间为5 min的样品表现大的长径比(长径比为25),其开启场强、阈值场强和场增强因子分别为1.81,3.0V/μm和6770,表现出良好的场发射性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林志贤	福州大学物理与信息工程学院	139	647	13.0	19.0
2	郭太良	福州大学物理与信息工程学院	302	1102	15.0	21.0
3	张永爱	福州大学物理与信息工程学院	57	199	8.0	11.0
4	叶芸	福州大学物理与信息工程学院	47	123	5.0	8.0
5	孙磊	福州大学物理与信息工程学院	16	48	5.0	6.0
6	彭玉颜	福州大学物理与信息工程学院	3	8	1.0	2.0
7	周雄图	福州大学物理与信息工程学院	26	67	5.0	7.0
8	林木飞	福州大学物理与信息工程学院	3	5	1.0	2.0