镓锌氧化物半导体薄膜的晶粒生长特性及其微结构研究

• 作者: 康淮 钟志有 陆轴 龙路
• 来源期刊: 中南民族大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 氧化锌薄膜 晶粒生长 微结构
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 物理与电子信息科学
• 页码范围: 75-80
• 页数: 6页
• 分类号: TM914
• 字数: 3187字
• 语种: 中文

摘要

采用ZnO：Ga3 O2高密度陶瓷靶作为溅射源材料,利用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了镓锌氧化物( GaZnO)半导体薄膜.基于X射线衍射仪的测试表征,研究了薄膜厚度对GaZnO样品晶粒生长特性和微结构性能的影响.研究结果表明：所制备的GaZnO样品为多晶薄膜,并且都具有六角纤锌矿型结构和(002)晶向的择优取向生长特性；其(002)取向程度、结晶性能和微结构参数等均与薄膜厚度密切相关.随着薄膜厚度的增大,GaZnO样品的(002)择优取向程度和晶粒尺寸表现为先增大后减小,而位错密度和晶格应变则表现为先减小后增大.当薄膜厚度为510 nm时,GaZnO样品具有最大的(002)晶向织构系数(2.959)、最大的晶粒尺寸(97.8 nm)、最小的位错密度(1.044×1014 m-2)和最小的晶格应变(5.887×10-4).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟志有	中南民族大学电子信息工程学院智能无线通信湖北省重点实验室	67	360	11.0	14.0
2	龙路	中南民族大学电子信息工程学院智能无线通信湖北省重点实验室	11	55	4.0	7.0
3	陆轴	中南民族大学电子信息工程学院智能无线通信湖北省重点实验室	19	78	6.0	8.0
4	康淮	中南民族大学电子信息工程学院智能无线通信湖北省重点实验室	11	61	6.0	7.0