美国发明辉钼忆阻器 或将改变未来半导体领域方向

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体芯片 钼基 发明 美国 科学家 高速存储 低功耗 学术
• 年，卷（期）: bdtxx_2016,（1）
• 页码范围: 22-22
• 页数: 1页
• 分类号: TN303

摘要

据美国科学学术网近日报道，美科学家最近使用辉钼制成了辉钼基柔性忆阻器，可以用其制造低功耗的超高速存储与计算芯片，科学学术网认为这一发明很可能让半导体芯片世界从“硅时代”跨越到“辉钼时代”。