热处理对富碳氢化非晶碳化硅薄膜阻氢性能的影响

• 作者: 任丁 姜辉
• 来源期刊: 盐城工学院学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 热稳定 氢扩散 a-SiC:H 薄膜 氢
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 材料·化工·环境工程研究
• 页码范围: 40-44
• 页数: 5页
• 分类号: TL93|TL69
• 字数: 3526字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16018/j.cnki.cn32-1650/n.201602009

摘要

针对热处理对a-SiC:H薄膜的氢扩散和热稳定性的影响,利用二次离子质谱(SIMS)和傅立叶红外谱(FTIR)来分析氢的深度分布和薄膜中SiHn和CHn的变化.结果表明,在473 K到773 K范围内,经过热处理的a-SiC:H薄膜能够有效地延缓氢扩散,从而提高阻氢性能,但是在热稳定方面有所退化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姜辉	盐城师范学院新能源与电子工程学院	8	8	2.0	2.0
2	任丁	辐射物理与技术教育部重点实验室四川大学原子核科学技术研究所	1	0	0.0	0.0