SiC压阻式压力传感器感应膜片热-结构耦合分析

• 作者: 李舜酩 袁方超
• 来源期刊: 重庆理工大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 小挠度理论 感应膜片 热-结构耦合
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 机械·材料
• 页码范围: 26-31
• 页数: 6页
• 分类号: TP212
• 字数: 3425字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-8425(z).2016.01.005

摘要

通过小挠度理论对感应膜片进行了应力与挠度计算,采用ANSYS仿真验证了碳化硅(SiC)压阻式压力传感器感应膜片的性能,并进行了膜片的对比选型与分析.对感应膜片进行了热-结构耦合分析,对比分析了感应膜片在不同温度场下的应力分布情况,确定了压敏电阻的布置位置,并对不同温度场下施加不同的压力载荷时感应膜片的应力场与电压输出进行了仿真分析.研究结果表明:高温环境下传感器的输入(压力)-输出(电压)呈线性关系,且输出电压随温度升高而降低,这对压阻式高温压力传感器感应膜片的设计具有一定的指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李舜酩	南京航空航天大学能源与动力学院	204	2555	26.0	45.0
2	袁方超	南京航空航天大学能源与动力学院	1	4	1.0	1.0