氨气流量对富硅氮化硅薄膜键态的分析

• 作者: 丁德松 乌仁图雅 周炳卿 部芯芯 高爱明
• 来源期刊: 信息记录材料
• 学科: 工学
• 关键词: 富硅氮化硅薄膜 化学气相沉积 键合结构
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 材料·工程
• 页码范围: 47-49
• 页数: 3页
• 分类号: TQ12
• 字数: 1258字
• 语种: 中文

摘要

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在低压力的条件下,以SiH4、NH3和H2为反应气体,通过改变氨气流量来研究富硅氮化硅薄膜材料.通过Fourier变换红外吸收(FTIR)光谱检测样品中各键的键合结构演变,发现Si-N键和N-H键随着氨气流量改变向高波数方向移动,说明逐渐形成氮化硅薄膜.通过紫外-可见光透射光谱测量薄膜材料的透射光谱,计算得出薄膜相应的带隙宽度以及带尾能量,发现氨气流量的增加,光学带隙明显展宽,确定形成的薄膜为富硅氮化硅薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	乌仁图雅	内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室	18	56	4.0	7.0
2	周炳卿	内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室	45	134	6.0	8.0
3	高爱明	内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室	5	10	2.0	3.0
4	部芯芯	内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室	5	5	1.0	1.0