基于已有的新型多晶硅 CVD 反应器,设计出有利于获得理想速度场和温度场的特殊热管结构,并对其进行了有限元强度分析和结构改进。对不同壁面发射率和不同壁面温度的热管进行了CFD 仿真,计算得出:随着热管壁面温度的升高,多晶硅还原炉内环境温度也随之升高,但是多晶硅棒的总能耗与辐射能耗却随之降低;壁面温度从423 K 上升至623 K 时,硅棒总能耗和辐射能耗分别下降了2.84%和3.87%;随着发射率的降低,多晶硅还原炉内的环境温度、硅棒总能耗和辐射能耗都呈现下降趋势;硅棒的总能耗和辐射能耗分别下降了21.75%和24.42%。