SiC MOSFET和Si IGBT的结温特性及结温监测方法研究

• 作者: 宁圃奇 张栋 李磊 温旭辉
• 来源期刊: 大功率变流技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiC MOSFET Si IGBT 导通压降 开关时间 结温监测
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 电力电子器件
• 页码范围: 65-70
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13889/j.issn.2095-3631.2016.05.014

摘要

为了研究结温对1 200 V SiC MOSFET和Si IGBT输出特性、漏电流、开关特性和器件损耗的影响,搭建了输出特性测试电路、漏电流测试电路和双脉冲测试电路,并针对SiC MOSFET和Si IGBT随结温变化的不同表现,提出了不同的结温监测方法.通过测试发现,SiC MOSFET和Si IGBT的导通压降和漏电流随结温升高而增大;Si IGBT的开通损耗和关断损耗均随结温升高而增大,而SiC MOSFET的开通损耗随结温升高先增大后减小,关断损耗随结温升高而增大;Si IGBT的开关时间随结温变化而单调变化,而SiC MOSFET的开关时间随结温变化没有明显的变化规律.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁圃奇		1	0	0.0	0.0
2	李磊		1	0	0.0	0.0
3	温旭辉		2	0	0.0	0.0
4	张栋		2	10	1.0	2.0