CdS纳米颗粒填充的自支撑多孔硅光致发光特性

• 作者: 姚函妤 张三洋 李玉芳 李金泽 杨家乐 沈鸿烈 邢正伟
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 工学
• 关键词: CdS 纳米颗粒 阳极氧化法 电泳法 自支撑多孔硅 光致发光
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 135-139
• 分类号: TG178.445
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/gzxb20164509.0916001

摘要

为了研究CdS纳米颗粒填充的自支撑多孔硅的光致发光特性,选用电阻率为0.01～0.02Ω·cm的P型硅片,先采用二步阳极氧化法制备自支撑多孔硅,再利用电泳法将CdS纳米颗粒填充入该自支撑多孔硅中.采用扫描电子显微镜、X射线能谱分析、X射线衍射分析、光致发光谱分析对所制备样品的形貌、相结构、组份及发光性能进行研究.实验结果表明:自支撑多孔硅内部成功填充了CdS纳米颗粒,该CdS纳米颗粒衍射峰为(210);CdS纳米颗粒填充的自支撑多孔硅光致发光峰峰位发生红移,且从570 nm转移到740 nm;电泳时间直接影响CdS纳米颗粒的填充量,导致相关的发光峰强度及发光峰位明显不同.