OTP存储器存储单元内寄生电容对读取阈值的影响

• 作者: 曾昆农 李建军 毛冬冬
• 来源期刊: 电子设计工程
• 学科: 工学
• 关键词: OTP存储器 存储单元 寄生电容 读取阈值
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 电力电子技术
• 页码范围: 82-85
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 3121字
• 语种: 中文

摘要

在OTP存储器的设计中，基于得到OTP存储器存储单元编程后尽可能大的读取阈值的目的，以提高OTP存储器的编程效率和芯片成品率，采用了消除存储单元内寄生电容的方法，通过对OTP存储器存储单元内带寄生电容和不带寄生电容两种情况下的仿真以及对比，可以发现存储单元内寄生电容的存在会使OTP存储器编程后的读取阈值减少8 kΩ左右，所以在OTP存储器的设计中，应尽可能消除掉存储单元内的寄生电容，获得尽可能大的读取阈值。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李建军	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	6	38	3.0	6.0
2	毛冬冬	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	3	1.0	1.0
3	曾昆农	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	3	1.0	1.0