1310nm垂直腔面发射激光器芯片制备技术的研究进展

• 作者: 刘丽杰 吴远大 安俊明 王佐 王玥 胡雄伟
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直腔面发射激光器 1310nm 产业化
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 809-815
• 页数: 7页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 4010字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20163707.0809

摘要

垂直腔面发射激光器(VCSELs)在光纤通讯领域有着广泛的应用前景,国际上对VCSELs需求逐年增加,而国内目前VCSELs的产业化尚属空白.本文从两方面着手综述1 310 nm VCSELs制备方法.将可以制备出1 310 nm VCSELs的4种材料,从理论、制备、量产时需要考虑的因素等方面进行较为全面的汇总分析;同时对两种主流的制备方法从工艺步骤分析其在产业化方面的优势与不足.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王玥	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	79	544	8.0	22.0
2	吴远大	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	25	34	3.0	4.0
3	安俊明	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	45	77	5.0	6.0
4	胡雄伟	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	41	134	6.0	9.0
5	刘丽杰	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	1	6	1.0	1.0
6	王佐		1	6	1.0	1.0