新型非易失性存储器的抗辐射能力研究进展

• 作者: 刘洋 李威 李平 辜科
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 非易失性存储器 辐射效应 总剂量效应 单粒子效应 抗辐射加固
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 966-971
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 5765字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201606.0966

摘要

通过研究铁电存储器、磁性随机存储器、相变存储器和阻变存储器4种新型非易失性存储器的抗辐射能力,总结了每种非易失性存储器的总剂量效应和单粒子效应.针对总剂量效应和单粒子效应进行了对比与分析,得到了目前的新型非易失性存储器的抗辐射能力仍然取决于存储单元以外的互补金属氧化物半导体(CMOS)外围电路的抗辐射能力.该结论为抗辐射非易失性存储器的研究提供了参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘洋	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	46	174	7.0	11.0
2	李平	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	144	1645	22.0	36.0
3	李威	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	49	283	8.0	14.0
4	辜科	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	5	29	3.0	5.0