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摘要:
采用射频磁控反应溅射技术制备了a-Si/SiNx超品格材料,并采用热退火技术对材料进行处理.利用吸收光谱和X射线衍射谱对材料进行表征,结果表明Si层呈现非晶态.为研究材料的三阶非线性光学特性,对材料进行Z扫描研究,测量数据表明,材料的非线性吸收为反饱和吸收,材料非线性折射率呈现为负值,该材料的x(3)的实部为4.57 ×10-17 C(1.39×10-7 esu),虚部为1.49×10-17 C(4.48 ×10-8 esu),该极化率数值比体硅材料的x(3)值大5个数量级.对该材料非线性光学产生的机理进行了研究,认为材料体现出的较强的量子限制效应是非线性极化率增强的主要来源.
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文献信息
篇名 非晶态Si/SiNx超晶格材料的发光与非线性光学特性
来源期刊 发光学报 学科 物理学
关键词 a-Si/SiNx超晶格 非线性光学 Z扫描 量子限制效应
年,卷(期) 2016,(7) 所属期刊栏目 材料合成及性能
研究方向 页码范围 773-777
页数 5页 分类号 O484
字数 2783字 语种 中文
DOI 10.3788/fgxb20163707.0773
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 申继伟 南京理工大学紫金学院电子工程与光电技术学院 10 24 3.0 4.0
2 罗为 南京理工大学紫金学院电子工程与光电技术学院 6 3 1.0 1.0
3 杜锦丽 中国药科大学理学院 8 14 2.0 3.0
传播情况
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节点文献
a-Si/SiNx超晶格
非线性光学
Z扫描
量子限制效应
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22-1116/O4
大16开
长春市东南湖大路16号
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1970
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