D波段功率放大器设计

• 作者: 刘杰 张健 田遥岭 蒋均 邓贤进
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: D波段 功率放大器 太赫兹集成电路 SiGeBiCMOS cascode
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 太赫兹技术
• 页码范围: 023102-1-023102-4
• 页数: 1页
• 分类号: TN78
• 字数: 737字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201628.023102

摘要

基于0.13μm SiGe BiCMOS 工艺,研究和设计了一种 D 波段功率放大器芯片。该放大器芯片用了四个功率放大器单元和两个 T 型结网络构成。功率放大器单元采用了三级的 cascode 电路结构。低损耗的片上 T 型结网络既能起到片上功率合成/分配的功能,又能对输入输出进行阻抗匹配。对电路结构进行了设计、流片验证和测试。采用微组装工艺将该芯片封装成为波导模块。小信号测试结果表明：该功放芯片工作频率为125~150 GHz,最高增益在131 GHz 为21 dB,最低增益在150 GHz 为1 7 dB,通带内 S 22小于-7 dB, S 11小于-10 dB。大信号测试结果表明：该功放模块在128~146 GHz 带内输出功率都大于13 dBm,在139 GHz 时,具有最高输出功率为13.6 dBm,且1 dB 压缩功率为12.9 dBm。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘杰	中国工程物理研究院电子工程研究所微系统与太赫兹中心	27	88	4.0	8.0
2	张健	中国工程物理研究院电子工程研究所微系统与太赫兹中心	80	595	12.0	20.0
3	邓贤进	中国工程物理研究院电子工程研究所微系统与太赫兹中心	33	409	12.0	19.0
4	蒋均	中国工程物理研究院电子工程研究所微系统与太赫兹中心	11	29	3.0	5.0
5	田遥岭	中国工程物理研究院电子工程研究所微系统与太赫兹中心	4	5	2.0	2.0