掺杂铌和钴元素的PZT薄膜的残余应力测定

• 作者: 丁长路 李伟 杨凯 武鹏飞 陈泓霖
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 溶胶-凝胶法 PZT薄膜 残余应力 X线衍射法 退火温度
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 页码范围: 42-45
• 页数: 4页
• 分类号: TN384|TB383
• 字数: 2863字
• 语种: 中文

摘要

锆钛酸铅(PZT)薄膜具有优异的压电性能,是制作微机电系统(MEMS)振动式能量收集器的理想材料.在溶胶-凝胶法制备PZT薄膜的过程中产生的残余应力会对能量收集器有负面影响.该文利用X线衍射法对在退火温度分别为650℃、700℃、750℃、800℃下掺杂铌(Nb)和钴(Co)元素的PZT薄膜样品的残余应力进行了测定.实验结果表明,PZT薄膜样品中的残余应力表现为压应力,从650℃升高到750℃的过程中,随着退火温度的升高薄膜中的残余应力增大;直到750℃附近后,残余应力基本保持稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李伟	重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室	89	932	17.0	28.0
5	丁长路	重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室	3	1	1.0	1.0
9	陈泓霖	重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室	1	1	1.0	1.0
13	武鹏飞	重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室	1	1	1.0	1.0
17	杨凯		1	1	1.0	1.0