氮化镓技术催生航空电子革命

• 作者: 张红霞
• 来源期刊: 国际航空
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 先进材料技术
• 页码范围: 66-68
• 页数: 3页
• 语种: 中文

摘要

近十年来,氮化镓(GaN)的研究热潮席卷了全球的电子工业.这种材料属于宽禁带半导体,是一种高硬度、高熔点材料,凭借独特的电磁和光学特性,成为制作微波功率晶体管、微电子器件、光电子器件的优良选择.在继第一代锗、硒,第二代砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)之后,氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)已成为典型的第三代半导体材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张红霞		9	39	3.0	6.0