RESURF技术中LDMOS外延层单位面积杂质密度研究

• 作者: 安达露 鲍嘉明
• 来源期刊: 电子设计工程
• 学科: 工学
• 关键词: LDMOS RESURF 衬底掺杂浓度 外延层单位面积杂质密度
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 电力电子技术
• 页码范围: 169-171,174
• 页数: 4页
• 分类号: TN0
• 字数: 2222字
• 语种: 中文

摘要

LDMOS器件设计中，常采用RESURF技术来提高器件的性能。文中主要研究具有RESURF技术结构的LD-MOS器件，围绕当获得最优的器件结构时，其外延层单位面积杂质密度Ntot不是定值这一现象展开研究，给出了一种关于外延层单位面积杂质密度Ntot的近似解析表达式。经过大量的模拟仿真及数据分析，发现在最优器件结构中均匀掺杂的外延层单位面积杂质密度Ntot与衬底掺杂浓度存在有规律的函数关系。最终，通过综合分析影响器件的关键因素，得到了最优器件的外延层单位面积杂质密度Ntot与衬底掺杂浓度的关系函数。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	鲍嘉明	北方工业大学电子信息工程学院微电子学系	17	52	4.0	6.0
2	安达露	北方工业大学电子信息工程学院微电子学系	2	0	0.0	0.0