Al掺杂量对Cu(In1-xAlx)S2薄膜性能的影响

• 作者: 方亚林 王莹 言智 邓卫之 邓沛然
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: Cu(In1-xAlx)S2薄膜 黄铜矿结构 Al掺杂量 原位变温XRD
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 页码范围: 1732-1736
• 页数: 5页
• 分类号: TM615
• 字数: 2676字
• 语种: 中文

摘要

使用廉价的溶剂热法制备黄铜矿结构的Cu(In1-xAlx)S2薄膜,研究Al掺杂量对Cu(In1-xAlx)S2薄膜的晶体结构、形貌、粗糙度和光学性能的影响.结果表明:随着Al掺杂量的增加,Cu(In1-xAlx)S2薄膜的X射线衍射峰向高角度偏移,同时晶粒尺寸变小.CuInS2的原位变温XRD结果显示CuInS2在低于873 K时可以稳定存在,当温度达到873 K时CuInS2则开始分解为In2S3和Cu2S.AFM的测试结果展示薄膜表面的粗糙度随着Al掺杂量的增加而逐步降低.紫外分光光度计的测试结果呈现Cu(In1-xAlx)S2薄膜透过率随着Al含量的增加而逐步增加.Al/(Al+In)的量在0～0.5变化时,Cu(In1-xAlx)S2薄膜的禁带宽度的相应变化为1.56～2.24 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	言智	上海工程技术大学材料工程学院	14	89	5.0	9.0
2	方亚林	上海工程技术大学材料工程学院	6	12	2.0	3.0
3	王莹	上海工程技术大学材料工程学院	13	14	2.0	3.0
4	邓沛然	上海工程技术大学材料工程学院	31	61	5.0	6.0
5	邓卫之	上海工程技术大学材料工程学院	2	1	1.0	1.0