Bi2Se3薄膜及Pb掺杂电子结构变化的第一性原理

• 作者: 朱亚波 李延龄 范贺良 赫占军 陈磊
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 关键词: Bi2Se3薄膜 能带 态密度 电子结构
• 年，卷（期）: 2016,（11）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 2809-2813
• 页数: 5页
• 语种: 中文

摘要

利用第一性原理平面波赝势方法,研究Bi2Se3从块体到薄膜的电子结构变化特性.通过分析材料的原子位置以及电子间相互作用,具体探讨块体、双层和单层薄膜及单层Pb掺杂薄膜的能带结构、态密度等.计算结果表明,这几种材料的价带和导带主要由原子的p态构成,同时由于Bi (Pb)的6s轨道态对价带顶的影响,它们的带隙类型随着材料结构的变化,发生从直接带隙到间接带隙的转变,此外Pb掺杂单层薄膜后产生的Se(1 /)层对其电子结构的变化有重要影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈磊		24	116	6.0	10.0
2	朱亚波		20	66	5.0	7.0
3	李延龄		1	0	0.0	0.0
4	范贺良		11	10	1.0	3.0
5	赫占军		2	0	0.0	0.0