二维金光栅增强AlGaN/GaN量子阱中红外探测器的垂直光耦合

• 作者: 彭飞
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学 二维金光栅 有限元法 表面等离激元 AlGaN/GaN量子阱中红外光电探测器
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体光电
• 页码范围: 742-746
• 页数: 5页
• 分类号: TN215
• 字数: 1630字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2017.06.014

摘要

利用对入射光源偏振性不敏感的二维金光栅结构来增强AlGaN/GaN量子阱中红外光电探测器的垂直光耦合.采用有限元法(FEM)计算了探测器结构中的电场分布和能量流动,发现采用二维金光栅时量子阱区有效电场强度比采用Si3N4光栅时高出2个数量级,这主要源于金光栅与A1GaN界面处激发形成的表面等离激元(SPP),对光能流动方向、光场振动方向产生了强烈的改变.无论光源的偏振性如何,当垂直入射电磁波波长为4.7 μm,电场强度E为1 V/m时,量子阱区的有效|Ez|2达到了0.7(V/m)2,为实现AlGaN/GaN量子阱中红外光电探测器焦平面阵列提出了一种解决方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭飞	上海电子信息职业技术学院电子工程系	3	3	1.0	1.0