CMOS图像传感器总剂量辐照效应及加固技术研究进展

• 作者: 何宝平 刘静 姚志斌 王祖军 盛江坤 薛院院
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS图像传感器 总剂量效应 辐照损伤 抗辐射加固技术
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 动态综述
• 页码范围: 1-7
• 分类号: TP212
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2017.01.001

摘要

CMOS图像传感器(CIS)在空间辐射或核辐射环境中应用时,均会受到总剂量辐照损伤的影响,严重时甚至导致器件功能失效.文章从微米、超深亚微米到纳米尺度的不同CIS生产工艺、从3T PD(Photodiode)到4T PPD(Pinned Photodiode)的不同CIS像元结构、从局部氧化物隔离技术(LOCOS)到浅槽隔离(STI)的不同CIS隔离氧化层等方面,综述了CIS总剂量辐照效应研究进展.从CIS器件工艺结构、工作模式和读出电路加固设计等方面简要介绍了CIS抗辐射加固技术研究进展.分析总结了目前CIS总剂量辐照效应及加固技术研究中亟待解决的关键技术问题,为今后深入开展相关研究提供理论指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何宝平	西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室	46	291	9.0	13.0
2	王祖军	西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室	22	178	7.0	12.0
3	姚志斌	西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室	35	171	8.0	10.0
4	刘静	湘潭大学材料科学与工程学院	10	56	4.0	7.0
5	盛江坤	西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室	4	12	2.0	3.0
6	薛院院	西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室	1	7	1.0	1.0