功率半导体器件表面钝化技术综述

• 作者: 刘晨静 吴郁 李彭 李立 郭勇 金锐
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 功率器件 钝化工艺 结终端结构 钝化材料
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 专题综述
• 页码范围: 130-135
• 页数: 6页
• 分类号: TN323.4
• 字数: 5695字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2017.12.034

摘要

表面钝化技术是半导体器件制造过程中的重要工艺环节,对器件的电学特性和可靠性有重要影响.文中侧重于功率器件领域,回顾了各种高压结终端所需的不同钝化工艺,包括平铺叠加的复合介质膜、有机聚合物覆盖、玻璃或有机聚合物填充等.综述了钝化工艺中所采用的各种钝化材料的性质和功能,给出了它们在功率器件结构中的典型数据,包括二氧化硅、磷硅玻璃、氮化硅、氮氧化硅、三氧化二铝、半绝缘多晶硅、聚酰亚胺(PI)、玻璃料等,并对新近用于钝化的苯并环丁烯、氢化无定形碳化硅和氢化无定形碳等材料进行了介绍和展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴郁	北京工业大学信息学部	38	215	9.0	13.0
2	郭勇	北京工业大学信息学部	15	34	4.0	5.0
3	金锐		12	76	3.0	8.0
4	李立		3	3	1.0	1.0
5	李彭	北京工业大学信息学部	1	1	1.0	1.0
6	刘晨静	北京工业大学信息学部	1	1	1.0	1.0