坩埚下降法生长红外砷化镓晶体的研究

• 作者: 何庆波 徐家跃 申慧 范世骥 谈慧祖 金敏
• 来源期刊: 应用技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 坩埚下降法 红外 砷化镓晶体 透过率
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 10-13,88
• 页数: 5页
• 分类号: TN216
• 字数: 2338字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2096-3424.2017.01.003

摘要

利用坩埚下降法生长红外砷化镓晶体,坩埚下降炉控温1 260℃,晶体以2.5 mm/h速度在温度梯度为10℃/cm的条件下结晶生长.PBN坩埚外壁黏附有气相自发成核、尺寸为1～3 mm的砷化镓单晶颗粒.生长的砷化镓晶体直径约50.8 mm,总长约140 mm.晶体头部放肩阶段存在异相成核,尾部出现多晶.截断后获得的砷化镓单晶长约100mm,成晶率达70％.砷化镓单晶结晶质量良好,头尾平均位错密度分别为868 cm-2和1 436 cm-2,电阻率达107 Ω·cm量级.砷化镓单晶整体红外透过率约为55％,接近最高理论透过率55.8％.满足工业界使用要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐家跃	上海应用技术大学材料科学与工程学院	87	198	6.0	9.0
2	申慧	上海应用技术大学材料科学与工程学院	24	34	3.0	4.0
3	金敏	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	10	242	5.0	10.0
4	范世骥	上海应用技术大学材料科学与工程学院	1	2	1.0	1.0