基于增强型沟槽栅技术的高性能3300V IGBT

• 作者: Ian Deviny Luther Ngwendson 周飞宇 宁旭斌 戴小平 肖强
• 来源期刊: 大功率变流技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 增强型沟槽栅 通态压降 关断安全工作区 功率密度
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 页码范围: 65-69
• 页数: 5页
• 分类号: TN32
• 语种: 中文
• DOI: 10.13889/j.issn.2095-3631.2017.05.011

摘要

采用沟槽栅结构、软穿通(SPT)技术和载流子存储层技术研制出一款增强型沟槽栅型(TMOS+)3 300 V IGBT芯片,其具有更低通态压降、更高功率密度和更优的关断安全工作区性能.高温(Tj=150℃)工况下,芯片的通态压降比相同电压等级增强型平面栅型(DMOS+) IGBT的约低25％,并能安全关断11倍额定电流;同等外形尺寸条件下,TMOS+型IGBT模块的电流等级(1800A)比DMOS+型的提升了20％,可满足更高功率容量的应用需求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴小平		4	0	0.0	0.0
2	宁旭斌		2	0	0.0	0.0
3	肖强		3	0	0.0	0.0
4	周飞宇		1	0	0.0	0.0
5	Luther Ngwendson		1	0	0.0	0.0
6	Ian Deviny		1	0	0.0	0.0