CaCu3Ti4O12陶瓷淬火态微结构与介电性能研究

• 作者: 宋江 成鹏飞 武康宁 贾然
• 来源期刊: 电瓷避雷器
• 关键词: CCTO 淬火 阻抗谱 点缺陷
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 绝缘子
• 页码范围: 128-131
• 页数: 4页
• 语种: 中文
• DOI: 10.16188/j.isa.1003-8337.2017.01.024

摘要

采用传统的电子陶瓷工艺制备了CaCu3Ti4O12(以下简称CCTO)陶瓷,主要研究了1 100℃空气气氛下淬火对CCTO介电性能的影响.SEM和XRD研究表明,淬火并未改变CCTO陶瓷的晶粒尺寸大小,但会增加陶瓷表面CuO的析出.介电谱测试发现,经过淬火的CCTO陶瓷在低频下的介电常数和介电损耗均明显增大,而高频介电常数和介电损耗几乎不变.阻抗谱分析进一步表明,淬火后试样的晶界电阻显著降低,可能是晶界氧化相对不足,晶界界面态密度下降,导致耗尽层厚度减小,于是低频介电常数和介电损耗同时增大;由于氧化主要发生在晶界,晶粒点缺陷浓度几乎不受影响,因此晶粒尺寸和晶粒电阻几乎不随淬火而变化.