808nm半导体激光芯片电光转换效率的温度特性机理研究

• 作者: 宋云菲 李特 杨国文 王贞福
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 半导体激光芯片 电光转换效率 温度
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 电磁学、光学、声学、传热学、经典力学和流体动力学
• 页码范围: 101-106
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.66.104202

摘要

提高808 nm大功率半导体激光器电光转换效率具有重要的学术意义和商业价值,是实现器件小型化、轻量化、高可靠性的必要前提.本文以腔长1.5 mm的传导冷却封装808 nm半导体激光阵列为研究对象,在热沉温度-40-25℃范围内对其进行光电特性测试,对不同温度下电光转换效率的影响因子进行了实验研究和理论分析.结果表明:在-40℃环境温度下,最高电光转换效率从室温25℃时的56.7％提高至66.8％,内量子效率高达96.3％,载流子泄漏损耗的占比贡献由16.6％下降至3.1％.该研究对实现808 nm高效率半导体激光芯片的自主研发具有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李特	中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室	11	70	5.0	8.0
2	王贞福	中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室	8	11	2.0	3.0
3	杨国文	中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室	5	11	2.0	3.0
7	宋云菲	中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室	2	5	1.0	2.0