对n型Si外延片表面处理方法的研究

• 作者: 底亚雷 康薇 颜晓飞
• 来源期刊: 中国科技投资
• 关键词: 外延片 电阻率 汞探针cV测试仪 表面处理 紫外光
• 年，卷（期）: 2017,（24）
• 所属期刊栏目: 设计与应用
• 页码范围: 323
• 页数: 1页
• 字数: 2108字
• 语种: 中文

摘要

集成电力中最常见的半导体材料就是Si外延片,并且也经常用来制造成半导体器件.对于外延片来说,其外延电阻是最重要的一项参数指标,可以直接对器件的性能造成影响.本文主要分析了多种表面处理方式力测试其对电子率造成的影响,最终发现采用紫外光进行表面处理方法最为合适,可以广泛应用于成品测试之中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康薇		3	0	0.0	0.0
2	底亚雷		3	0	0.0	0.0
3	颜晓飞		3	0	0.0	0.0