n型硅外延表面状态对肖特基接触的影响

• 作者: 付超 吴志国
• 来源期刊: 中国科技投资
• 关键词: 硅 肖特基 外表面
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 理论广角
• 页码范围: 376
• 页数: 1页
• 字数: 2048字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5811.2018.01.356

摘要

在本次的研究分析当中,分别对自然状态下的氧化处理、双氧水材料水浴处理、紫外光照射处理,这三种氧化处理方式进行了分析,再通过对研究数据的深入分析掌握影响外延片表面性质的因素.最终发现采用双氧水水浴的处理方式所得到的外延片表面处理结果的状态最为稳定,并且在重复验证中的标准差能控制在百分之一以内.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴志国		2	0	0.0	0.0
2	付超		2	0	0.0	0.0