表面处理对肖特基接触的影响

• 作者: 李培咸 郑英奎 陈诗哲 霍荡荡 魏珂
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN 肖特基接触 表面处理 反向漏电 电导法 表面态密度
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 66-69
• 页数: 4页
• 分类号: TN43
• 字数: 1382字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2017.06.013

摘要

研究了不同的表面处理方法对器件肖特基特性的影响.实验结果表明,采用氧等离子体及体积比(HF:NH4F)为1:7的BOE溶液对AlGaN/GaN异质结材料表面进行处理后,其肖特基接触特性比盐酸或者氨水溶液处理有了明显的改善.当栅压为-50V时,栅反向漏电仅为3.8× 10-5 A/mm,相比降低了l～2个数量级.另外,电容电压CV测试结果显示,经过BOE溶液处理表面,明显降低了器件表面态密度,达到1013cm-2·eV-1量级,表面态密度的降低,提高了肖特基势垒高度,降低了隧穿电流和表面漏电.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李培咸	西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院	36	324	10.0	17.0
2	魏珂	中国科学院微电子研究所	24	134	5.0	10.0
3	郑英奎	中国科学院微电子研究所	15	43	4.0	6.0
4	霍荡荡	西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院	2	1	1.0	1.0
8	陈诗哲	西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院	2	1	1.0	1.0