退火温度对Ag/VOx/Al阻变存储器性能的影响

• 作者: 夏梦僧 李春静 杨瑞霞 韩应宽 马浩
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: VOx薄膜 阻变存储器(RRAM) 金属导电细丝机制 磁控溅射 退火温度
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 373-378
• 页数: 6页
• 分类号: TN43
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2017.06.002

摘要

阻变存储器(RRAM)是下一代最有潜力的非易失性存储器.利用磁控溅射、电子束蒸发和离子束溅射方法制备了一种Ag/VOx/Al结构的RRAM.使用半导体参数分析仪(Agilent B1500A)测试了器件的电学特性,器件具有双极阻变特性.器件的高阻态的传输机制为空间电荷限制电流(SCLC)机制,低阻态的传输机制为欧姆机制,器件的阻变机制为金属导电细丝机制.研究了不同退火温度(150～300℃)对Ag/VOx/Al器件阻变性能的影响.研究表明,不同退火温度不仅会影响VOx薄膜的表面形貌与晶面组成,而且会影响器件的电学性能,在退火温度为200℃时器件的阻变窗口最大,而在300℃时器件的耐久性最优秀.适当的退火温度有益于改善器件的阻变性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学电子信息工程学院	180	759	13.0	18.0
3	马浩	河北工业大学电子信息工程学院	4	17	2.0	4.0
4	李春静	河北工业大学电子信息工程学院	8	37	2.0	6.0
6	夏梦僧	河北工业大学电子信息工程学院	1	0	0.0	0.0
14	韩应宽	河北工业大学电子信息工程学院	3	4	2.0	2.0