温湿度对掺杂纳米氧化铝的聚酰亚胺薄膜耐电晕性能影响研究

• 作者: 吴广宁 钟鑫
• 来源期刊: 高压电器
• 关键词: 聚酰亚胺 耐电晕 热失重分析(TGA) 扫描电镜(SEM)
• 年，卷（期）: 2017,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与分析
• 页码范围: 60-66
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.13296/j.1001-1609.hva.2017.07.010

摘要

为了探究温度和湿度对掺杂纳米氧化铝的聚酰亚胺(PI)薄膜耐电晕性能的影响,文中通过原位聚合法制备了氧化铝粒径为20 nm的聚酰亚胺/氧化铝(PI/Al2O3)复合薄膜,在高频方波脉冲下进行纯膜和纳米膜的耐电晕实验,运用扫描电镜对电晕老化前后的薄膜形貌进行分析.实验结果表明:同一电压下,纳米膜耐电晕性能优于纯膜,纳米粒子可改变电荷传输通道,并浮于聚合物表层阻挡进一步侵蚀.随着温度升高,聚合物降解产生的气体分布在基体中,易造成电场畸变而加剧侵蚀,导致薄膜寿命缩短;且纳米膜热导率高于纯膜,故高温环境中耐电晕性能较好.随着相对湿度增大,纳米膜耐电晕寿命先增大后减小,主要是因为相对湿度较低时,水分可在纳米粒子周围形成“水壳”,增大了纳米粒子间重叠区域,增加了电荷消散传输通道;而相对湿度较高时,聚酰亚胺分子水解产生大量离子基团及小分子,造成电场畸变加剧电晕侵蚀作用更大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴广宁		458	6939	39.0	56.0
2	钟鑫		15	32	3.0	5.0