InSb晶片的机械加工损伤层研究

• 作者: 柏伟 赵超 龚志红
• 来源期刊: 红外
• 学科: 工学
• 关键词: InSb 切割 研磨 抛光 损伤层
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 6-11
• 页数: 6页
• 分类号: TN213
• 字数: 4344字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-8785.2017.01.002

摘要

结合X射线衍射技术以及逐层化学腐蚀剥离损伤层的方法,定量分析了InSb晶体由于切割、研磨、抛光等工艺所引入的损伤层的深度,并探讨了损伤层结构及引入因素.研究结果表明,切割加工是引入InSb晶片表面损伤层的主要工序,其表面损伤层的深度达到16μm左右;双面研磨的InSb晶片表面的损伤层深度约为12 μm;经机械化学抛光加工后的InSb晶片表面的损伤层深度明显减小,约为2μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵超		13	15	2.0	3.0
2	龚志红		8	15	2.0	3.0
3	柏伟		7	7	1.0	1.0