超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺

• 作者: 卜俊鹏 尹玉华 朱蓉辉 赵冀 郑红军
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs 抛光 亚表面损伤层
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 445-448
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 1500字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.04.022

摘要

在不同弹性抛光布、不同氧化浓度、不同pH值的抛光液等条件下进行了化学机械抛光试验,并用TEM测量了晶片亚表面损伤层厚度.研究发现抛光布的弹性及抛光液的氧化和化学去除能力决定了GaAs抛光晶片的亚表面损伤层深度,并分析和讨论了其原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑红军	中国科学院半导体研究所	6	50	3.0	6.0
2	卜俊鹏	中国科学院半导体研究所	5	47	3.0	5.0
3	尹玉华	中国科学院半导体研究所	2	28	2.0	2.0
4	赵冀	中国科学院半导体研究所	3	20	1.0	3.0
5	朱蓉辉	中国科学院半导体研究所	3	20	1.0	3.0