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摘要:
利用Ar等离子体对晶圆表面进行激活处理,随后进行Ni-Si晶圆键合.研究了等离子体表面激活过程中的气体流量和反应离子刻蚀功率对晶圆键合效果的影响,并利用超声扫描显微镜图片来评估晶圆键合的质量.结果表明,等离子体表面激活处理利于得到气泡和空洞数目较少的键合界面,从而有效提升晶圆键合的质量.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 基于Ar等离子体表面激活的Ni-Si晶圆键合工艺研究
来源期刊 稀有金属与硬质合金 学科 工学
关键词 晶圆键合 化学反应键合 Ni-Si键合 表面激活 Ar等离子体
年,卷(期) 2017,(3) 所属期刊栏目 材料制备与性能研究
研究方向 页码范围 56-58,70
页数 4页 分类号 TN305
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘洪刚 中国科学院微电子研究所 10 17 3.0 4.0
2 王盛凯 中国科学院微电子研究所 2 0 0.0 0.0
3 许维 中国科学院微电子研究所 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
晶圆键合
化学反应键合
Ni-Si键合
表面激活
Ar等离子体
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
稀有金属与硬质合金
双月刊
1004-0536
43-1109/TF
大16开
湖南省长沙市解放中路199号
1973
chi
出版文献量(篇)
1674
总下载数(次)
3
总被引数(次)
10120
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