基于氢等离子体处理改善氢化非晶硅/晶体硅界面钝化效果的工艺研究

• 作者: 周玉琴 王楠 钟奇
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氢等离子体处理 氢化非晶硅/晶体硅界面钝化 后退火处理 钝化机理
• 年，卷（期）: 2019,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1912-1919
• 页数: 8页
• 分类号: TM914.4+1
• 字数: 3868字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2019.10.023

摘要

薄层a-Si∶H钝化技术对于提高硅异质结太阳能电池的效率至关重要,通常有三类工艺可显著改善a-Si∶H薄膜的钝化效果:晶硅表面湿化学处理(薄膜沉积前);氢等离子体处理(薄膜沉积过程中);后退火处理(薄膜沉积后).该论文基于等离子增强型化学气相沉积系统,采用氢等离子处理和后退火处理改善a-Si∶ H/c-Si界面的钝化效果,样品的有效少数载流子寿命最高达到1 ms,并研究了射频功率密度、腔体压力、氢气流量等工艺参数对钝化效果的影响;采用光发射谱、台阶仪等对氢等离子体处理所涉及的物理过程进行研究,得出该工艺对a-Si∶H薄膜具有刻蚀作用;根据钝化效果和刻蚀速率的关系,得出低刻蚀速率由于给予薄膜充足的时间进行结构弛豫或重构,显著改善钝化效果;基于快速热退火方法进一步改善钝化效果,采用傅里叶变换红外光谱对a-Si∶H薄膜的钝化机理进行研究,并基于化学退火模型进行讨论;采用透射电镜研究了a-Si∶ H/c-Si界面的微结构,并没有观测到影响钝化效果的外延生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周玉琴	中国科学院大学材料科学与光电技术学院	11	46	4.0	6.0
2	王楠	中国电子科技集团公司第四十六研究所半导体硅外延材料部	11	7	2.0	2.0
3	钟奇		1	0	0.0	0.0