基于温和等离子体CVD的非晶硅薄膜的制备与钝化研究

• 作者: 刘晶晶 姚尧 戴伟 朱月岭 肖少庆 顾晓峰
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 非晶硅薄膜 电感耦合等离子体化学气相沉积 微结构 表面钝化
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 页码范围: 1197-1203
• 页数: 7页
• 分类号: O484
• 字数: 4252字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2018.06.019

摘要

采用容性放电模式(E-mode)的电感耦合等离子体化学气相沉积技术(ICPCVD),以硅烷( SiH4)和氢气(H2)作为气源,通过改变沉积气压来制备氢化非晶硅薄膜(a-Si:H).采用少子寿命测试仪(Sinton WCT-120)研究薄膜在n型单晶硅片表面的钝化效果.并通过傅里叶红外光谱仪(FTIR)和扫描电子显微镜(SEM)进一步表征薄膜的氢含量、微结构因子和表面形貌.结果表明,气压偏低或者偏高都会影响薄膜质量,生成多孔隙的薄膜,从而影响薄膜的钝化性能.最优沉积气压为65 Pa,并进一步优化少子寿命到445 μs,复合速度减小到48 cm/s,隐开路电压接近700 mV.