直接键合SOI晶圆的工艺

• 作者: 邱恒德 黄祯宏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 键合晶圆 缺陷 凹陷
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 392-395
• 页数: 4页
• 分类号: TN219|TN305.1
• 字数: 2264字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.097

摘要

使用直接键合晶圆工艺制作SOI晶圆.分别讨论了晶圆净度与表面平坦度对于键合晶圆缺陷的影响,还通过将氧化层生长在不同晶圆上的方法,比较不同方法对于挠曲度的影响.结果表明,晶圆的凹陷造成键合晶圆发生缺陷,通过红外光可以准确检验出晶圆界面缺陷.不同的氧化层生长方式明显地改变了键合晶圆的挠曲度.