超低功耗无片外电容的低压差线性稳压器

• 作者: 何乐年 冯建宇 奚剑雄 孙可旭 陈琛
• 来源期刊: 浙江大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 低压差线性稳压器 超低功耗 无片外电容 嵌套密勒补偿(NMC) 阻抗衰减缓冲器
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 电气与电子工程
• 页码范围: 1669-1675
• 页数: 7页
• 分类号: TN401|TN86
• 字数: 3819字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2017.08.025

摘要

为了减小无片外电容低压差线性稳压器(LDO)的功耗并提高稳定性,提出带有阻抗衰减缓冲器的LDO.该LDO主环路采用三级运放结构,具有动态偏置并联反馈结构和摆率增强电路的缓冲器作为中间级,驱动PMOS功率管.使用嵌套密勒补偿方式(NMC),将低频主极点放置在第一级输出,将缓冲器输出极点和LDO输出极点作为次极点构成极点-极点追踪,达到无片外电容LDO稳定性和瞬态响应的要求.芯片采用GSMC公司的130 nmCMOC工艺模型设计并经流片测试.测试结果表明:在1.6～4 V输入电压下,输出1.5V电压,最大输出电流为1.5 mA时静态电流小于881 nA.测试结果验证了设计要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何乐年	浙江大学超大规模集成电路设计研究所	88	869	16.0	26.0
2	陈琛	浙江大学超大规模集成电路设计研究所	16	126	7.0	11.0
3	奚剑雄	浙江大学超大规模集成电路设计研究所	3	12	2.0	3.0
4	孙可旭	南卫理公会大学电子工程系	1	9	1.0	1.0
5	冯建宇	浙江大学超大规模集成电路设计研究所	1	9	1.0	1.0